电力电子器件概述54332.pptx

11.1 电力电子器件概述第1页/共111页21 1）概念）概念: :电力电子器件电力电子器件（Power Electronic Device） 可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路主电路（Main Power Circuit） 电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。2 2）分类）分类: : 电真空器件电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件半导体器件 (采用的主要材料硅） 电力电子器件的概念和特征电力电子器件电力电子器件第2页/共111页3处理电功率的能力远大于处理信息的电子器件。电力电子器件一般都工作在开关状态。电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 电力电子器件的概念和特征3 3）同处理信息的电子器件相比的一般特征：）同处理信息的电子器件相比的一般特征：第3页/共111页4通态损耗通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。主要损耗通态损耗断态损耗开关损耗关断损耗开通损耗 电力电子器件的概念和特征 电力电子器件的损耗电力电子器件的损耗第4页/共111页5电力电子系统电力电子系统：由控制电路控制电路、驱动电路驱动电路、保护电路保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路主电路组成。图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行控制电路检测电路驱动电路RL主电路V1V2保护电路 应用电力电子器件系统组成电气隔离控制电路第5页/共111页6半控型器件（半控型器件（ThyristorThyristor） 通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。全控型器件（全控型器件（IGBT,MOSFET)IGBT,MOSFET) 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。不可控器件不可控器件(Power Diode)(Power Diode) 不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 电力电子器件的分类按器件受控程度可分为以下三类：按器件受控程度可分为以下三类：第6页/共111页7电流驱动型电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。电压驱动型电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 电力电子器件的分类 按驱动信号的性质可分为以下二类：按驱动信号的性质可分为以下二类：第7页/共111页8本章内容本章内容: :介绍各种器件的工作原理工作原理、基本特性基本特性、主要参数主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。集中讲述电力电子器件的驱动驱动、保护和串保护和串、并联使用并联使用这三个问题。学习要点学习要点: :最重要的是掌握其基本特性基本特性。掌握电力电子器件的型号命名法命名法，以及其参数和特性参数和特性曲线的使用方法曲线的使用方法。可能会主电路的其它电路元件有特殊的要求特殊的要求。 本章学习内容与学习要点第8页/共111页91.2 不可控器件电力二极管第9页/共111页10Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。1.2 不可控器件电力二极管引言整流二极管及模块整流二极管及模块第10页/共111页11基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。图图1-2 1-2 电力二极管的外形、结构和图形符号电力二极管的外形、结构和图形符号 a) a) 外形外形 b) b) 结构结构 c) c) 电气图形符号电气图形符号结与电力二极管的工作原理AKAKa)IKAPNJb)c)AK第11页/共111页12 状态参数正向导通反向截止反向击穿电流正向大几乎为零反向大电压维持1V反向大反向大阻态低阻态高阻态 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。 PN结的反向击穿（两种形式)雪崩击穿齐纳击穿均可能导致热击穿结与电力二极管的工作原理 PN结的状态第12页/共111页13PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应电容效应，称为结电容结电容CJ，又称为微分电容微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容势垒电容CB和扩散电容扩散电容CD。电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。结与电力二极管的工作原理 PN结的电容效应：第13页/共111页14主要指其伏安特性伏安特性门槛电压门槛电压UT O，正向电流I IF F开始明显增加所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向正向电压降电压降U UF F 。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。图图1-4 1-4 电力二极管的伏安特性电力二极管的伏安特性 电力二极管的基本特性1) 静态特性静态特性IOIFUTOUFU第14页/共111页152) 2) 动态特性动态特性 二极管的电压二极管的电压- -电流特性是随电流特性是随时时 间变化的间变化的 结电容的存在结电容的存在 电力二极管的基本特性b)UFPuiiFuFtfrt02Va)FUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt图图1-5 1-5 电力二极管的动态过程波形电力二极管的动态过程波形 a) a) 正向偏置转换为反向偏置正向偏置转换为反向偏置 b) b) 零偏置转换为正向偏置零偏置转换为正向偏置延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1反向恢复时间：trr= td+ tf恢复特性的软度：下降时间与延迟时间 的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示。第15页/共111页16UFPuiiFuFtfrt02V图图1-5(b)1-5(b)开通过程开通过程 电力二极管的基本特性 关断过程关断过程须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPdiFdtdiRdt图图1-5(b)1-5(b)关断过程关断过程开通过程开通过程正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。正向恢复时间tfr。电流上升率越大，UFP越高 。第16页/共111页17额定电流额定电流在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。I IF(AV)F(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 电力二极管的主要参数1) 正向平均电流正向平均电流IF(AV)2）正向压降正向压降U UF F在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。第17页/共111页183）反向重复峰值电压反向重复峰值电压U URRMRRM对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。4）反向恢复时间反向恢复时间t trrrr trr= td+ tf5）浪涌电流浪涌电流I IFSMFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 电力二极管的主要参数第18页/共111页19结温结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。T TJMJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。 电力二极管的主要参数6）最高工作结温最高工作结温TJM第19页/共111页201）普通二极管普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路其反向恢复时间较长正向电流定额和反向电压定额可以达到很高按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。 电力二极管的主要类型第20页/共111页21简称快速二极管简称快速二极管快恢复外延二极管快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED），其trr更短（可低于50ns），UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者t trrrr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。2）快恢复二极管快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD）第21页/共111页22肖特基二极管的弱点弱点反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。肖特基二极管的优点优点反向恢复时间很短（1040ns）。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。效率高，其开关损耗和正向导通损耗小于快速二极管。 电力二极管的主要类型3）肖特基二极管肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode SBD）。第22页/共111页231.3 半控器件晶闸管第23页/共111页241.3 半控器件晶闸管引言1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。晶闸管晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）第24页/共111页25图图1-6 1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号晶闸管的外形、结构和电气图形符号a) a) 外形外形 b) b) 结构结构 c) c) 电气图形符号电气图形符号 晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和平板型两种封装。A、K、G三个引脚。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。AAGGKKb)c)a)AGKKGAP1N1P2N2J1J2J3第25页/共111页26 晶闸管的结构与工作原理常用晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构第26页/共111页27 晶闸管的结构与工作原理式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；IC B O 1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ：图图1-7 1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) b) 工作原理工作原理 按晶体管的工作原理 ，得：111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）)(121CBO2CBO1G2AIIII（1-5）第27页/共111页28 晶闸管的结构与工作原理在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 阻断状态阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。第28页/共111页29 晶闸管的结构与工作原理阳极电压升高至相当高的数值将造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段段。其他几种可能导通的情况其他几种可能导通的情况第29页/共111页30 晶闸管的基本特性承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到维持电流IH以下 。 晶闸管正常工作时的特性总结如下：晶闸管正常工作时的特性总结如下：第30页/共111页31 晶闸管的基本特性（1）正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM1）静态特性静态特性图图1-8 1-8 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性I IG2G2 I IG1G1 I IGG第31页/共111页32 晶闸管的基本特性反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。图图1-8 1-8 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性I IG2G2 I IG1G1 I IGG正向导通雪崩击穿O+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM（2 2）反向特性第32页/共111页33 晶闸管的基本特性（1）开通过程延迟时间td (0.51.5s)上升时间tr (0.53s)开通时间tg t以上两者之和，tgt=td+tr100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA（2）关断过程 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq以上两者之和 tq=trr+tgr约几百微秒2）动态特性动态特性图图1-9 1-9 晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的开通和关断过程波形第33页/共111页34 晶闸管的主要参数断态重复峰值电压断态重复峰值电压U UDRMDRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压反向重复峰值电压U URRMRRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压通态（峰值）电压U UT T 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。使用注意：使用注意：1）电压定额电压定额第34页/共111页35 晶闸管的主要参数通态平均电流通态平均电流 I IT(AVT(AV）在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值最大工频正弦半波电流的平均值。使用时按有效值相等的原则有效值相等的原则选取晶闸管。维持电流维持电流 I IHH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流擎住电流 I IL L 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说对同一晶闸管来说，通常通常I IL L约为约为I IH H的的2424倍倍。浪涌电流浪涌电流I ITSMTSM指由于电路异常引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。2）电流定额电流定额第35页/共111页36 晶闸管的主要参数断态电压临界上升率断态电压临界上升率d du u/d/dt t 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率通态电流临界上升率d di i/d/dt t 指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。3）动态参数动态参数第36页/共111页37晶闸管的派生器件有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。1）快速晶闸管快速晶闸管（Fast Switching Thyristor FST)Fast Switching Thyristor FST)第37页/共111页38晶闸管的派生器件2）双向晶闸管（双向晶闸管（Triode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristor）图图1-10 1-10 双向晶闸管的电气图双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性形符号和伏安特性a) a) 电气图形符号电气图形符号 b) b) 伏安特性伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值不用平均值而用有效值来表示其额定电流值来表示其额定电流值。第38页/共111页39晶闸管的派生器件3 ) 逆 导 晶 闸 管逆 导 晶 闸 管（R e v e r s e C o n d u c t i n g ThyristorRCT）a)KGAb)UOIIG=0图图1-11 1-11 逆导晶闸管的电气图形逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性符号和伏安特性a) a) 电气图形符号电气图形符号 b) b) 伏安特性伏安特性将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。第39页/共111页40晶闸管的派生器件4) 光控晶闸管光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）AGKa)AK光强度强弱b)OUIA图图1-12 1-12 光控晶闸管的电气图光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性形符号和伏安特性a) a) 电气图形符号电气图形符号 b) b) 伏安特性伏安特性又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。因此目前在高压大功率的场合。第40页/共111页411.4 典型全控型器件第41页/共111页421.4 典型全控型器件引言门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。第42页/共111页431.4 典型全控型器件引言常用的典型全控型器件电力电力MOSFETMOSFETIGBTIGBT单管及模块单管及模块第43页/共111页44 门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。DATASHEET门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）第44页/共111页45 门极可关断晶闸管结构结构：与普通晶闸管的相同点相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。c)图1-13AGKGGKN1P1N2N2P2b)a)AGK图图1-13 GTO1-13 GTO的内部结构和电气图形符号的内部结构和电气图形符号 a) a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) b) 并联单元结构断面示意图并联单元结构断面示意图1）GTO的结构和工作原理的结构和工作原理第45页/共111页46 门极可关断晶闸管工作原理工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。 RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2P1AGKN1P2P2N1N2a)b)图图1-14 1-14 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 1 1+ + 2 2=1=1是器件临界导通的条件。是器件临界导通的条件。由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益 1 1和 2 2 。第46页/共111页47 门极可关断晶闸管GTO通过门极关断的原因设计2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于门极关断。导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2b)图图1-15 1-15 晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理第47页/共111页48 门极可关断晶闸管GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 结论结论：第48页/共111页49 门极可关断晶闸管开通过程开通过程：与普通晶闸管相同关断过程关断过程：储存时间储存时间t ts s，使等效晶体管退出饱和。下降时间下降时间t tf f 尾部时间尾部时间t tt t 残存载流子复合。通常t tf f比t ts s小得多，而t tt t比t ts s要长。门极负脉冲电流幅值越大，t ts s越短。Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6图图1-16 GTO1-16 GTO的开通和关断过程电流波形的开通和关断过程电流波形2)2) GTOGTO的动态特性的动态特性第49页/共111页50 门极可关断晶闸管3) GTO的主要参数 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约12s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2s。（2） 关断时间关断时间toff（1）开通时间开通时间ton 不少不少GTOGTO都制造成逆导型都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管类似于逆导晶闸管，需承需承受反压时受反压时，应和电力二极管串联应和电力二极管串联 。 与普通晶闸管相一致的参数请参见普通晶闸管。第50页/共111页51 门极可关断晶闸管（3 3）最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流I IATOATO（4） 电流关断增益电流关断增益 off off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GTO额定电流。 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。（1-8）GMATOoffII第51页/共111页52电力晶体管电力晶体管（Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管） 。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT），亦称为Power BJT。DATASHEET 1 2 应用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。术语用法术语用法：第52页/共111页53基本原理与普通双极结型晶体管相同。主要特性：耐压高、电流大、开关特性好。通常采用达林顿接法组成单元结构。电力晶体管1）GTR的结构和工作原理图图1-17 GTR1-17 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) a) 内部结构断面示意图内部结构断面示意图 b) b) 电气图形符号电气图形符号 c) c) 内部载流子的流动内部载流子的流动第53页/共111页54电力晶体管GTR一般采用共射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为 GTR的电流放大系数电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic= ib +Iceo 单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益达林顿接法可有效增大电流增益。bcii空穴流电子流c)EbEcibic=ibie=(1+ )ib第54页/共111页55电力晶体管 (1) 静态特性静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区截止区、放大区放大区和饱和区饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib2 BUcex BUces BUcer Buceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低很多。3）GTR的主要参数的主要参数第57页/共111页58电力晶体管通常规定为h hFEFE下降到规定值的1/21/31/21/3时所对应的I Ic c 。实际使用时要留有裕量，只能用到I IcMcM的一半或稍多一点。 (3) 集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率P PcMcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给P PcMcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 (2) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I IcMcM第58页/共111页59电力晶体管一次击穿一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，I Ic迅速增大，只要 I Ic c不超过限度，GTR一般不会损坏。 二次击穿二次击穿：一次击穿发生时，I Ic c突然急剧上升，电压陡然下降。将导致器件的永久损坏。安全工作区（安全工作区（Safe Operating AreaSOA）最高电压U UceMceM、集电极最大电流I IcMcM、最大耗散功率P PcMcM、二次击穿临界线限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM图图1-20 GTR1-20 GTR的安全工作区的安全工作区4) GTR的二次击穿现象与安全工作区的二次击穿现象与安全工作区第59页/共111页60电力场效应晶体管电力场效应晶体管分为结型结型和绝缘栅型绝缘栅型主 要 指 绝 缘 栅 型绝 缘 栅 型 中 的 M O SM O S 型型 （ M e t a l O x i d e Semiconductor FET）简称电力MOSFET（Power MOSFET）结 型 电 力 场 效 应 晶 体 管 一 般 称 作 静 电 感 应 晶 体 管（Static Induction TransistorSIT） 特点特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，驱动功率小。驱动电路简单，驱动功率小。开关速度快，工作频率高。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于热稳定性优于GTRGTR。电流容量小，耐压低电流容量小，耐压低。电力场效应晶体管电力场效应晶体管第60页/共111页61电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFETMOSFET的种类的种类按导电沟道可分为P P沟道沟道和N N沟道沟道。 耗尽型耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N N沟道增强型沟道增强型。DATASHEETDATASHEET1 1）电力）电力MOSFETMOSFET的结构和工作原理的结构和工作原理第61页/共111页62电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFETMOSFET的结构的结构单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图图1-21 1-21 电力电力MOSFETMOSFET的结构和电气图形符号的结构和电气图形符号第62页/共111页63电力场效应晶体管电力场效应晶体管小功率MOS管采用横向导电结构。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。多元集成结构多元集成结构第63页/共111页64电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型反型层层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19电力电力MOSFET的工作原理的工作原理第64页/共111页65电力场效应晶体管电力场效应晶体管 (1)(1) 静态特性静态特性漏极电流I IDD和栅源间电压U UG SG S的关系称为MOSFET的转转移特性移特性。I ID D较大时，I IDD与与U UGSGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导跨导GGfsfs。010203050402468a)10203050400b)1020 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图图1-22 1-22 电力电力MOSFETMOSFET的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性 a) a) 转移特性转移特性 b) b) 输出特性输出特性2 2）电力）电力MOSFETMOSFET的基本特性的基本特性第65页/共111页66电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止区截止区（GTR的截止区）饱和区饱和区（GTR的放大区）非饱和区非饱和区（GTR的饱和区）工作在开关状态。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。图图1-231-23电力电力MOSFETMOSFET的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性 a) a) 转移特性转移特性 b) b) 输出特性输出特性MOSFETMOSFET的漏极伏安特性：的漏极伏安特性：010203050402468a)10203050400b)10 20 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A第66页/共111页67电力场效应晶体管电力场效应晶体管开通过程开通过程开通延迟时间开通延迟时间t td(on)d(on) 上升时间上升时间t tr r开通时间开通时间t to no n：开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断过程关断延迟时间关断延迟时间t td(off)d(off)下降时间下降时间t tf f关断时间关断时间t to f fo f f：关断延迟时间和下降时间之和a）b)RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf图图1-24 1-24 电力电力MOSFETMOSFET的开关过程的开关过程a) a) 测试电路测试电路 b) b) 开关过程波形开关过程波形u up p脉冲信号源，脉冲信号源，R Rs s信号源内阻，信号源内阻，R RGG栅极电阻，栅极电阻，R RL L负载电阻，负载电阻，R RF F检测漏极电流检测漏极电流(2) 动态特性动态特性第67页/共111页68电力场效应晶体管电力场效应晶体管MOSFET的开关速度和C Cinin充放电有关。降低驱动电路内阻R Rs s可加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。MOSFETMOSFET的开关速度的开关速度第68页/共111页69电力场效应晶体管电力场效应晶体管3) 3) 电力电力MOSFETMOSFET的主要参的主要参数数 电力MOSFET额定电压(1)(1) 漏极电压漏极电压U UDSDS (2)(2) 漏极直流电流漏极直流电流I IDD和漏极脉冲电流幅值和漏极脉冲电流幅值I IDMDM电力MOSFET额定电流(3)(3) 栅源电压栅源电压U UGSGS UGS20V将导致绝缘层击穿 。 除跨导Gfs、开启电压UT以及t td(on)d(on)、t tr r、t td(off)d(off)和tf之外还有： (4)(4) 极间电容极间电容极间电容C CGSGS、C CGDGD和C CDSDS第69页/共111页70 绝缘栅双极晶体管绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 （ I n s u l a t e d - g a t e B i p o l a r TransistorIGBTIGBT或IGTIGT）(DATASHEET 1 2 )GTR和MOSFET的复合。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。第70页/共111页71 绝缘栅双极晶体管1) IGBT1) IGBT的结构和工作原理的结构和工作原理三端器件：栅极G、集电极C和发射极EEGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+发射极 栅极集电极注入区缓冲区漂移区J3J2J1GEC+-+-+-IDRNICVJ1IDRonb)GCc)图图1-25 IGBT1-25 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号的结构、简化等效电路和电气图形符号a) a) 内部结构断面示意图内部结构断面示意图 b) b) 简化等效电路简化等效电路 c) c) 电气图形符号电气图形符号第71页/共111页72 绝缘栅双极晶体管图1-25aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。RN为晶体管基区内的调制电阻。 IGBTIGBT的结构的结构第72页/共111页73 绝缘栅双极晶体管 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通导通：u uGEGE大于开启电压开启电压UGE(th)UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 IGBT的原理的原理第73页/共111页74a)b)O有源区正向阻断区饱和区反向阻断区ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加 绝缘栅双极晶体管2) IGBT2) IGBT的基本特性的基本特性 (1)(1) IGBTIGBT的静态特性的静态特性图图1-26 IGBT1-26 IGBT的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性a) a) 转移特性转移特性 b) b) 输出特性输出特性转移特性转移特性IC与UGE间的关系(开启电开启电压压UGE(th)输出特性输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。第74页/共111页75 绝缘栅双极晶体管ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM图图1-27 IGBT1-27 IGBT的开关过程的开关过程IGBTIGBT的开通过程的开通过程开通延迟时间开通延迟时间t td(on)d(on) 电流上升时间电流上升时间t tr r 开通时间开通时间t tononu uC EC E的 下 降 过 程 分 为t tfv1fv1和t tfv2f