BFR520晶体管产品规格书.pdf

BFR520 NPN 微波低噪声晶体管BFR520 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 BFR520 NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1.1.简述：简述：本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器等产品；集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：IC=70mA,集电极耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz；封装形式：SOT23,本体印字(Marking)：32W 或者 N28 或者 N2 或者 N2t。2.极限参数（Tamb=25）：极限参数（Tamb=25）：参数名称 符号 额定值 单位 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO 20 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 15 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO 2.5 V 集电极电流 IC 70 mA 耗散功率 PT 300 mW 最高结温 TJ 150 储存温度 Tstg-65+150 3.电参数及规格（Tamb=25）：电参数及规格（Tamb=25）：参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极截止电流 ICBO VCB=6V,IE=0-0.05 A 直流电流放大系数 hFE VCE=6V,IC=20mA 60 120 250 特征频率 fT VCE=6V,IC=20mA-9-GHz 反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz-0.4-pF 集电极电容 CC IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz-0.5-pF 发射极电容 Ce IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz-1.0-pF 插入功率增益 S212 IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz13 14-dB VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz-1.1 1.6 dB VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz-1.6 2.1 dB 噪声系数 NF VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz-1.9-dB IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz-15-dB 最大单边功率增益 GUM IC=20mA,VCE=6V,f=2GHz-9-dB 输出电压 VO 270 mV 输出功率在 1dB 的增益压缩 PL1 IC=20mA,VCE=6V,VO=75mV,f=810MHz-50-dB EmitterEmitterSOT-23SOT-23321CollectorBaseCollectorBase321 BFR520 NPN 微波低噪声晶体管BFR520 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 其中：dBSSSGUM22221122111log10 5.典型特征曲线 5.典型特征曲线：TOTAL POWER DISSIPATION TOTAL POWER DISSIPATION VSVS.AMBIENT TEMPERATTURE.AMBIENT TEMPERATTURE400300100050100200150400300100050100200150 TS()Ptot(mW)REVERSE TRANSFER CAPACITANCE REVERSE TRANSFER CAPACITANCE VSVS.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE.COLLECTOR TO BASE VOLTAGE0.50.40.304812160.50.40.30481216 VCB(V)Cre(pF)Cre(pF)0 0I IC C=0；f=1MHz=0；f=1MHz0 0TYPICAL CHARACTERISTICS(TYPICAL CHARACTERISTICS(TA=25,unless otherwise specified)nless otherwise specified)200200Free airFree airDC CURRENT DC CURRENT VSVS.COLLECTOR CURRENT.COLLECTOR CURRENT2001501020015010-2-21010-1-11 1h hFEFE10100 0V VCECE=6 V250=6 V250501005010010102 2 IC(mA)FREQUENCY FREQUENCY VSVS.COLLECTOR CURRENT.COLLECTOR CURRENT8611010086110100 IC(mA)f fT T(GHz)(GHz)0 02 24 41010V VCECE=6 V f=1GHz=6 V f=1GHzV VCECE=3 V f=1GHz=3 V f=1GHz BFR520 NPNBFR520 NPN微波低噪声晶体管微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 IC(mA)IC(mA)IC(mA)IC(mA)VCE=6V,VO=75mV,IC=20mA,f(p-q)=810MHzVCE=6V,VO=75mV,IC=20mA,f(p-q)=810MHzf(MHz)MSGf(MHz)MSG BFR520 NPNBFR520 NPN微波低噪声晶体管微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技北京鼎霖电子科技 6.封装尺寸示意图：6.封装尺寸示意图：7.包装信息：7.包装信息：PACKAGE INFORMATION 封装形式 Package 数量/盘 Shipping 盘/中盒 Inner Box 中盒/箱 Carton SOT-23 3000pcs/Tape&Reel 15 Tape&Reel 4 Inner Box PIN CONNECTIONS 1.Base 2.Emitter 3.Collector SOT-23 PACKAGE DIMENSIONS (Units:mm)2132131.3000.032.900.051.900.030.4 0.030.40.052.400.05Marking0.9700.030.1000.01R0.080.20(MIN)0.10.03