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1、思考题思考题1、名词解释:结合键、离子键、金属键、共价键2、下列物质含有何种键:黄铜(brass)、橡胶(rubber)、金刚石(diamond)、SiO2、单晶Si、NaCl。第一章第一章1、名词解释:离子键、金属键、共价键离子键:通过两个或多个原子得到或失去电子通过两个或多个原子得到或失去电子而成为离子形成的键称为离子键而成为离子形成的键称为离子键金属键:金属中的自由电子与金属正离子相互作用金属中的自由电子与金属正离子相互作用所构成的键称为金属键所构成的键称为金属键共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的键称为共价键通过共用电子对而
2、形成的键称为共价键2、下列物质含有何种键:黄铜(brass)、金刚石(diamond)、SiO2、单晶Si、NaCl。黄铜:金属键 , 金刚石:共价键SiO2:共价键;单晶Si:共价键; NaCl:离子键第二章第二章1、锆(、锆(Zr,Zirconium)具有)具有HCP结构,密度为结构,密度为6.51 g/cm3,MZr=91.22 g/mol, 阿伏伽德罗常数:阿伏伽德罗常数:6.023*1023个个/mol(a)计算晶胞体积;)计算晶胞体积;(b)如果)如果c/a为为1.593,计算,计算c和和a。212330*(6.51*10)*6.023*1042.98491.22MaNnmM336
3、/0.13959139.5942.984CaVnnmA223 33 3(* )(*1.593 )0.13959220.32021.5930.5102CVacaaanmcanma是原子密度;M是质量密度;No是阿伏伽德罗常数(a)(b)2、铑(、铑(Rh,Rhodium)的原子半径为)的原子半径为0.1345 nm,密度为,密度为12.41 g/cm3。判定其晶体结构属于。判定其晶体结构属于FCC,还是,还是BCC?MRh=102.91 g/mol212330*(12.41*10)*6.023*1072.63102.91MaNnmM33333334244()(*0.1345)0.05512244
4、*2 272.654(4*0.1345)()2CaCRaRVanmnnmRVIf FCCIf BCC3333334344()(*0.1345)3322*3 366.744(4*0.1345)()3CaCRaRVannmRV3、在立方晶胞中画出下列晶向:、在立方晶胞中画出下列晶向:4、在立方晶胞中画出下列晶面:、在立方晶胞中画出下列晶面:.031;321 ;331 ;210;121;101).321();221 ();131 ();210();211();110(XZY110012133121123103XZY(011)(011)(102)(122)(123)(112)(131)5、确定下图中晶
5、向和晶面的指数。、确定下图中晶向和晶面的指数。011A210B112C112D(324)A(221)B6、计算比较、计算比较FCC中中100、110、111晶向的线密度。晶向的线密度。设原子半径为设原子半径为R,则,则7、计算比较、计算比较BCC中(中(100)、()、(110)晶面的面密度。)晶面的面密度。42Ra 1001101112 /2 /20.7074 /212 / 31/60.408KR aKRaKRa设原子半径为设原子半径为R,则,则43Ra 22(100)2(110)/3 /160.5892/( * 2 )3 /8 20.833KRaKRaa8、说明晶体结构和空间点阵的差别。、
6、说明晶体结构和空间点阵的差别。空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,用以描述和分析晶体结构的空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,用以描述和分析晶体结构的周期性和对称性,由于各阵点的周围环境相同,故它只能有周期性和对称性,由于各阵点的周围环境相同,故它只能有14种类型;种类型;而晶体结构则是指晶体中实际质点(原子、离子或分子)的具体排列情而晶体结构则是指晶体中实际质点(原子、离子或分子)的具体排列情况,它们能组成各种类型的排列,因此,实际存在的晶体结构是无限的。况,它们能组成各种类型的排列,因此,实际存在的晶体结构是无限的。9、解释以下基本概念、解释以下基本概念空间点阵、晶格、晶胞、空间点阵、
7、晶格、晶胞、7个晶系、个晶系、合金、相、固溶体、中间相合金、相、固溶体、中间相空间点阵空间点阵:将原子抽象为规则排列于空间的几何点,称之为阵点,由这些阵:将原子抽象为规则排列于空间的几何点,称之为阵点,由这些阵点在三维空间规则排列的阵列称为空间点阵。点在三维空间规则排列的阵列称为空间点阵。晶格:为了便于描述空间点阵的图形,用许多平行的直线将所有阵点晶格:为了便于描述空间点阵的图形,用许多平行的直线将所有阵点连接起来,所构成的三维几何格架,称为晶格。连接起来,所构成的三维几何格架,称为晶格。晶胞晶胞:在点阵中取出的一个具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作:在点阵中取出的一个具有代表性的基本单
8、元(最小平行六面体)作为点阵的组成单元,称为为点阵的组成单元,称为晶胞。晶胞。7个晶系个晶系:三斜、单斜、正交、六方、菱方、四方、立方:三斜、单斜、正交、六方、菱方、四方、立方合金:两种或两种以上金属元素,或金属元素与非金属元素,经熔炼、烧结合金:两种或两种以上金属元素,或金属元素与非金属元素,经熔炼、烧结或其它方法组合而成并具有金属特性的物质。或其它方法组合而成并具有金属特性的物质。相:是合金中具有同一聚集状态、相同晶体结构,成分和性能均一,相:是合金中具有同一聚集状态、相同晶体结构,成分和性能均一,并以界面相互分开的组成部分。并以界面相互分开的组成部分。固溶体:合金中其结构与组成元素之一的
9、晶体结构相同的固相。固溶体:合金中其结构与组成元素之一的晶体结构相同的固相。中间相:合金中其结构与组成元素的结构均不相同的新相。中间相:合金中其结构与组成元素的结构均不相同的新相。10、三种典型的金属晶体结构是什么结构?一个晶胞中有几个原子?原子半径与晶格常数之间有什么关系?配位数和致密度各是多少?四面体和八面体间隙的数目各是多少?画出各晶格类型的原子排列方式(晶胞)及举例3种典型的金属。 常见金属:常见金属: -Fe、Cr、W、Mo、V、Nb等等常见金属:常见金属: -Fe、Ni、Al、Cu、Pb、Au等等常见金属:常见金属: Mg、Zn、 Be、Cd等等Characteristics of
10、 BCC, FCC and HCP structures固态金属在不同的温度和压力下具有不同的晶体结构,这种性质称为多晶型性。纯铁的同素异构转变纯铁的同素异构转变1394912 -Fe -Fe -FeBCCFCCBCC11、什么是固体金属的多晶型性(同素异构转变)?画出纯Fe的冷却曲线,并以此说明纯Fe的同素异构转变过程。 12、根据溶质原子在溶剂晶格中的位置,固溶体分为哪两类?分别加以说明。 置换固溶体:溶质原子占据溶剂点阵的阵点所形成的固溶体。间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体。13、中间相分为哪三类?分别加以说明。 (1)正常价化合物按照化学上原子价规律所形成的化合物(
11、2)电子化合物电子浓度决定晶体结构的化合物(3)间隙相、间隙化合物、拓扑密堆相由组成元素的原子尺寸决定的化合物。14、试、试比较纯金属、固溶体和中间相的力学性能上的差异。比较纯金属、固溶体和中间相的力学性能上的差异。 强度、硬度逐渐升高;塑性、韧性逐渐降低。15、试比较间隙固溶体、间隙相和间隙化合物的结构和性能的异、试比较间隙固溶体、间隙相和间隙化合物的结构和性能的异同点。同点。类别类别间隙固溶体间隙固溶体间隙相间隙相间隙化合物间隙化合物相同点一般都是由 过渡金属与原子半径较小的C、H、B等非金属组元构成不同点晶体结构属于固溶体相,保持溶剂的晶格类型属于金属间化合物相,形成不同其组元的新的简单
12、点阵结构属于金属间化合物相,具有复杂晶体结构表达式、b、用化学分子式表达机械性能强度、硬度较低,塑性、韧性较好极高的熔点和硬度,同时其脆性也很大,是高合金钢和硬质合金中的重要强化相间隙化合物也具有很高的熔点和硬度,脆性较大。略低于间隙相的性能16、FeAl为电子化合物,计算其电子浓度,为电子化合物,计算其电子浓度,Fe、Al的价电子贡的价电子贡献分别为献分别为0和和+3。17、下列合金相为何种类型、下列合金相为何种类型Cr7C3 、Mg2Pb、 WC 、FeAl、Cu3Al、Fe4N、Fe3CCr7C3 、Fe3C :间隙化合物:间隙化合物Mg2Pb:正常价化合物:正常价化合物WC 、 Fe4
13、N :间隙相:间隙相FeAl 、Cu3Al :电子化合物:电子化合物e/a=3/2=1.52、解释以下基本概念、解释以下基本概念晶粒、单晶体、多晶体、晶界晶粒、单晶体、多晶体、晶界肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、柏氏矢量、肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、柏氏矢量、位错的滑移、位错的滑移、位错的攀移位错的攀移、位错密度、位错反应、扩展位错、堆垛层错、单位位错、全位错、位错密度、位错反应、扩展位错、堆垛层错、单位位错、全位错、不全位错、部分位错、表面能、孪晶、相界。不全位错、部分位错、表面能、孪晶、相界。1、晶体缺陷分为哪三类?各具体包括哪些?、晶体缺陷分为哪三类?各具
14、体包括哪些?点缺陷:空位、间隙原子、杂质或溶质原子线缺陷:位错面缺陷:晶界、相界、孪晶界、堆垛层错第三章第三章晶粒指晶格位向基本一致的小晶体。单晶体由一个晶粒组成的晶体。多晶体由若干个位向不同的晶粒组成的晶体。晶界晶粒与晶粒之间的交界。肖脱基空位肖脱基空位脱离平衡位置的原子迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置,而使晶体内部留下空脱离平衡位置的原子迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置,而使晶体内部留下空位,称为肖脱基空位。位,称为肖脱基空位。弗仑克尔空位弗仑克尔空位脱离平衡位置的原子挤入点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数目相等的空位和间脱离平衡位置的原子挤入点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数
15、目相等的空位和间隙原子,称为弗仑克尔空位。隙原子,称为弗仑克尔空位。刃型位错刃型位错在一个完整晶体的上半部插入一多余的半原子面,它终止于晶体的内部,好像一把刀在一个完整晶体的上半部插入一多余的半原子面,它终止于晶体的内部,好像一把刀刃插入晶体中,使上下两部分晶体之间产生了原子错排,称为刃型位错。刃插入晶体中,使上下两部分晶体之间产生了原子错排,称为刃型位错。螺型位错螺型位错位错线附近的原子按螺旋形排列的位错位错线附近的原子按螺旋形排列的位错柏氏矢量柏氏矢量采用伯氏回路来定义位错,借助一个规定的矢量揭示位错的本质,这个矢量即为伯氏采用伯氏回路来定义位错,借助一个规定的矢量揭示位错的本质,这个矢量
16、即为伯氏矢量。矢量。位错的滑移位错的滑移在外加切应力的作用下,通过位错中心附近的原子沿伯氏矢量方向在滑移面上不断地在外加切应力的作用下,通过位错中心附近的原子沿伯氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移作少量的位移位错的攀移位错的攀移位错在垂直于滑移面的方向上的运动位错在垂直于滑移面的方向上的运动位错密度:单位体积晶体中所含的位错线的总长度位错密度:单位体积晶体中所含的位错线的总长度位错反应位错反应位错之间的相互转化(分解或合并)称为位错反应位错之间的相互转化(分解或合并)称为位错反应扩展位错扩展位错一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位一个全位错分解为两个不
17、全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错。错。堆垛层错堆垛层错实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排,称为堆垛层错实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排,称为堆垛层错单位位错伯氏矢量等于单位点阵矢量的位错全位错伯氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错不全位错伯氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错部分位错伯氏矢量小于点阵矢量的位错表面能表面能晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能孪晶孪晶两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成晶面对称的位向两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系,两
18、个晶体就称为孪晶。关系,两个晶体就称为孪晶。相界相界具有不同结构的两相之间的分界面称为相界。具有不同结构的两相之间的分界面称为相界。3、计算、计算Fe在在 850o 时,每立方米体积中的空位数。时,每立方米体积中的空位数。 已知已知Fe在在850o 时的空位时的空位形成能、密度及原子重量分别为形成能、密度及原子重量分别为1.08 eV/atom、7.65 g/cm3、55.85 g/mol。2322302262828245*7.65*6.023*108.25*10/55.85*(8.25*10 )*108.25*101.08* *exp(/)8.25*10 *1*exp()1.18*108.6
19、2*10*1123MaaVNcmMNVnNAEkT个个4 4、如图,在晶体的滑移面上有一柏氏矢量为、如图,在晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b b的位错环,并受到均匀切应的位错环,并受到均匀切应力力 和正应力和正应力s s的作用。的作用。(1 1)分析该位错环各段位错的结构类型;)分析该位错环各段位错的结构类型;(2 2)在)在 的作用下,该位错环如何运动?的作用下,该位错环如何运动?ABCDb s ss s(1 1) AB:AB:右螺型;右螺型;BCBC:正刃型;:正刃型; CDCD:左螺型;:左螺型;DADA:负刃型:负刃型(2 2)在)在 的作用下,位错环上部分晶体将不断沿着的作用下,位错环
20、上部分晶体将不断沿着x x轴方向轴方向(即(即b b的方向)运动,下部分晶体则反向(沿的方向)运动,下部分晶体则反向(沿-x-x轴方向)运轴方向)运动。这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧运动,即动。这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧运动,即ABAB、BCBC、CDCD和和DADA四段位错分别沿着四段位错分别沿着-z-z、x x、z z和和-x-x轴方向运动,轴方向运动,从而导致位错环扩大。从而导致位错环扩大。5、说明刃型位错、螺型位错和混合位错的特征类型类型柏氏矢量柏氏矢量b切应力切应力方向方向位错线运位错线运动方向动方向晶体滑晶体滑移方向移方向晶体滑移大晶体滑移大小与小与b关系关
21、系滑移面滑移面个数个数刃刃螺螺混合混合垂直位错线垂直位错线平行位错线平行位错线有夹角有夹角与与b一致一致与与b一致一致与与b一致一致垂直位错线垂直位错线垂直位错线垂直位错线垂直位错线垂直位错线与与b一致一致与与b一致一致与与b一致一致相等相等相等相等相等相等唯一唯一多个多个6、判断下列位错反应能否进行?、判断下列位错反应能否进行?(1)11111100122(2)110121211266(3)112111111362(4) 10011111122aaaaaaaaaaaa能进行能进行能进行能进行能量相等,不能进行能量相等,不能进行反应后能量增加,不能进行反应后能量增加,不能进行(1)111111
22、00122(2)110121211266(3)112111111362(4) 10011111122aaaaaaaaaaaa(1)a/2002=a001 a23/4+ a23/4= a23/2 a2(2)a/2110=a/6330= a/2110 a21/2a21/6+a21/6=1/3a2能进行能进行能进行能进行(3)a/6333=a/2111 a23/4=a23/4能量相等,不能进行能量相等,不能进行(4)与(1)反向反应后能量增加,不能进行反应后能量增加,不能进行7、什么是割阶和扭折?刃型位错、螺型位错的割阶和扭折有什么特点?割阶和扭折:位错运动时,在受到阻碍的情况下,可能一部分线段首先
23、进行滑移,并形成曲折线段,该曲折线段在位错的滑移面上时,称为扭折;该曲折线段垂直于位错的滑移面时,称为割阶。刃型位错的割阶部分仍未刃型位错,扭折部分为螺型位错;螺型位错中的割阶和扭折部分均为刃型位错8、试用Frank-Read源简述位错增殖机制 如图所示,AB为一刃型位错,两个端点固定,在外力作用下,位错线朝受力方向弓出、扩大,如图(a)-(d)所示;在(d)中,位错相互靠近处为异号位错,它们相互吸引、湮灭,最后原位错分成两部分,一部分是一个完整的位错环,在外力作用下继续想外扩张;剩下的另一部分位错回到原来位置,在外力作用下开始重复上一个过程。这个过程不断重复就产生新的位错环,即位错增殖,这种
24、增殖方式为Frank-Read增殖。9、简述晶界的特点1)1) 晶粒的晶粒的长大长大和晶界的和晶界的平直化平直化能减少能减少晶界面积晶界面积和和晶界能晶界能。2)2) 晶界处原子排列不规则,晶界处原子排列不规则,常温常温下对下对位错位错的的运动运动起起阻碍阻碍作用,宏观上表作用,宏观上表现出现出提高强度提高强度和和硬度硬度;而;而高温高温下晶界由于起粘滞性,易使下晶界由于起粘滞性,易使晶粒间滑动晶粒间滑动; 常温下,晶粒越细,材料的强度越高常温下,晶粒越细,材料的强度越高细晶强化。细晶强化。3) 3) 晶界处有晶界处有较多的缺陷较多的缺陷,如空穴、位错等,具有较高的动能,原子,如空穴、位错等,
25、具有较高的动能,原子扩散扩散速度速度比晶内比晶内高高;4) 4) 固态相变时,由于晶界能量高且原子扩散容易,所以固态相变时,由于晶界能量高且原子扩散容易,所以新相新相易在易在晶界处晶界处形核形核; 5) 5) 由于由于成分偏析成分偏析和和内吸附内吸附现象,晶界容易富集杂质原子,晶界现象,晶界容易富集杂质原子,晶界熔点低熔点低,加热时易导致晶界先熔化;加热时易导致晶界先熔化;6 6)由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态,以及晶界富集杂质原子的由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态,以及晶界富集杂质原子的缘故,缘故,晶界腐蚀比晶内腐蚀速率快晶界腐蚀比晶内腐蚀速率快晶间腐蚀晶间腐蚀。 10、根据晶粒的
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