咸阳半导体清洗设备项目实施方案【参考模板】.docx
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1、泓域咨询/咸阳半导体清洗设备项目实施方案咸阳半导体清洗设备项目实施方案xxx(集团)有限公司目录第一章 总论8一、 项目名称及投资人8二、 编制原则8三、 编制依据9四、 编制范围及内容10五、 项目建设背景10六、 结论分析11主要经济指标一览表13第二章 市场预测16一、 湿法清洗是主流清洗技术路线16二、 单片清洗良率高,是目前主流清洗设备19第三章 背景、必要性分析20一、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节,是芯片良率重要保障20二、 半导体市场景气高涨,资本开支上行带动设备市场高成长21三、 聚集创新创业人才22四、 推动科技成果就地转化23五、 项目实施的必要性26第四章 产品方案与建设
2、规划27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 建筑工程说明29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案29三、 建筑工程建设指标30建筑工程投资一览表30第六章 法人治理32一、 股东权利及义务32二、 董事34三、 高级管理人员38四、 监事40第七章 运营管理43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第八章 发展规划54一、 公司发展规划54二、 保障措施60第九章 项目环境影响分析63一、 环境保护综述63二、 建设期大气环境影响分析63三、 建设期水环境影响分析64
3、四、 建设期固体废弃物环境影响分析64五、 建设期声环境影响分析65六、 环境影响综合评价66第十章 节能分析67一、 项目节能概述67二、 能源消费种类和数量分析68能耗分析一览表68三、 项目节能措施69四、 节能综合评价70第十一章 工艺技术说明71一、 企业技术研发分析71二、 项目技术工艺分析73三、 质量管理75四、 设备选型方案76主要设备购置一览表76第十二章 原辅材料供应78一、 项目建设期原辅材料供应情况78二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理78第十三章 项目进度计划80一、 项目进度安排80项目实施进度计划一览表80二、 项目实施保障措施81第十四章 投资方案分析82
4、一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87固定资产投资估算表89四、 流动资金89流动资金估算表90五、 项目总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划92项目投资计划与资金筹措一览表92第十五章 项目经济效益分析94一、 基本假设及基础参数选取94二、 经济评价财务测算94营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表96利润及利润分配表98三、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表100四、 财务生存能力分析102五、 偿债能力分析102借款还本付息计划表103六、 经济评价结论104第十六章
5、招标及投资方案105一、 项目招标依据105二、 项目招标范围105三、 招标要求106四、 招标组织方式106五、 招标信息发布108第十七章 项目风险防范分析109一、 项目风险分析109二、 项目风险对策111第十八章 项目综合评价说明113第十九章 附表附录115建设投资估算表115建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表123项目投资现金流量表124本期项目是基
6、于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称咸阳半导体清洗设备项目(二)项目投资人xxx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令,符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向,以提高竞争力为出发点,产品无论在质量性能上,还是在价格上均应具
7、有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计,同时建设,同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准,并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来,正确处理企业发展与节能减排的关系,以企业发展提高节能减排水平,以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设,要统筹考虑未来的发展,为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心,加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求,尽可能地节省项目建设投资。在稳定可
8、靠的前提下,实事求是地优化各成本要素,最大限度地降低项目的目标成本,提高项目的经济效益,增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度,公正、客观的反映本项目建设的实际情况,工程投资坚持“求是、客观”的原则。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和
9、社会效益分析。通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、 项目建设背景干法清洗采用气相学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法,清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室,反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程,在氧化炉中进行,氩(Ar)溅射通常在溅射淀积前现场进行。干法清洗的优点在于清洗后无废液,可有选择性的进行局部处理。另外,干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应
10、,都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混合物蒸发压力不同,在低温下各种金属挥发性不同,所以在一定的温度、时间条件下,不能将所有金属污染物完全去除,因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验证明,气相化学法可按要求的标准减少的金属污染物有铁、铜、铝、锌、镍等,另外,钙在低温下采用基于CL离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常采用干、湿法相结合的清洗方式。到2035年,全市经济建设、政治建设、文化建设、社会建设、生态文明建设迈上新台阶,大西安都市圈咸阳核心区引领辐射作用日趋显现,发展中存在的不平衡不充分问题得到基本破解,与全国全省同步基本实现社会主义现代化。六、 结论分析(一)项目选址本期项
11、目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约93.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套半导体清洗设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资31507.43万元,其中:建设投资25384.63万元,占项目总投资的80.57%;建设期利息302.57万元,占项目总投资的0.96%;流动资金5820.23万元,占项目总投资的18.47%。(五)资金筹措项目总投资31507.43万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)1915
12、7.61万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额12349.82万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):67600.00万元。2、年综合总成本费用(TC):56309.47万元。3、项目达产年净利润(NP):8251.41万元。4、财务内部收益率(FIRR):19.39%。5、全部投资回收期(Pt):5.76年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):26722.56万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后,
13、可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62000.00约93.00亩1.1总建筑面积98911.591.2基底面积34100.001.3投资强度万元/亩258.822总投资万元31507.432.1建设投资万元25384.632.1.1工程费用万元21836.392.1.2其他费用万元2826.852.1.3预备费万元721.392.2建设期利息万元302.572.3流动资金万元
14、5820.233资金筹措万元31507.433.1自筹资金万元19157.613.2银行贷款万元12349.824营业收入万元67600.00正常运营年份5总成本费用万元56309.476利润总额万元11001.887净利润万元8251.418所得税万元2750.479增值税万元2405.4110税金及附加万元288.6511纳税总额万元5444.5312工业增加值万元18500.0413盈亏平衡点万元26722.56产值14回收期年5.7615内部收益率19.39%所得税后16财务净现值万元5544.16所得税后第二章 市场预测一、 湿法清洗是主流清洗技术路线根据清洗的介质不同,清洗技术可以
15、分为湿法清洗和干法清洗两种。湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物,通过腐蚀、溶解、化学反应等方法,使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落,以获得满足洁净度要求的硅片。干法清洗是指不依赖化学试剂的清洗技术,包括等离子体清洗、气象清洗等。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主,是目前市场上的主流清洗方法。湿法清洗采用液体化学试剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法和单晶片清洗等。1)RCA通用清洗法:RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射
16、、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水(UPW)中彻底清洗。2)化学稀释法:在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀释APMSC2混合物(1:1:50)可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物(1:1:60)和稀释HCI(1:100)在清除金属时可以像标准SC2液体一样有效。采用稀释HCI溶液的另外一个优点是,在低HCI浓度下颗粒不会沉淀。采用稀释RCA清洗法可以使全部化学品消耗减少86%。稀释SC1,SC2溶液及HF补充
17、兆声搅动后,可以降低槽中溶液使用温度,并优化了各种清洗步骤的时间,因此导致槽中溶液寿命加长,使化学品消耗量减少80-90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可以使UPW消耗量减少75-80%。此外,多种稀释化学液体由于低流速或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。3)IMEC清洗法:第一步,去除有机污染物,生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物。第二步,去除氧化层,同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程,在光照条件下,铜的表面沉积速度加快。第三步,在硅表面产生亲水性,以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用
18、稀释HCL/O3混合物,在低pH值下使硅表面产生亲水性,同时避免再发生金属污染,并且在最后冲洗过程中增加HNO3的浓度以减少Ca表面污染。4)单晶片清洗:大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法。其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3)产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化的DI水。为了避免水渍,采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更
19、好的清洗效果,清洗过程中采用DI水及HF的再循环利用,降低化学品的消耗量,提高晶片成本效益。干法清洗采用气相学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法,清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室,反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程,在氧化炉中进行,氩(Ar)溅射通常在溅射淀积前现场进行。干法清洗的优点在于清洗后无废液,可有选择性的进行局部处理。另外,干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应,都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混
20、合物蒸发压力不同,在低温下各种金属挥发性不同,所以在一定的温度、时间条件下,不能将所有金属污染物完全去除,因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验证明,气相化学法可按要求的标准减少的金属污染物有铁、铜、铝、锌、镍等,另外,钙在低温下采用基于CL离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常采用干、湿法相结合的清洗方式。二、 单片清洗良率高,是目前主流清洗设备在湿法清洗的技术路线下,清洗设备可以分为单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等,其中单片和槽式清洗设备是目前主流的清洗设备。单片清洗是将每一片晶圆送至各个腔体进行单独喷淋式清洗,这样容易控制清洗质量,也可以提高单片晶圆不同位臵的
21、清洗均匀度,但是缺点是清洗效率低下。槽式清洗是将多片晶圆(100-200片)放入清洗槽中,集中起来清洗,此类清洗设备效率高且成本底,但是缺点是浓度较难控制,可能产生交叉污染。目前,单片清洗在集成电路制造的先进工艺中已逐步取代槽式清洗成为主流,主要原因包括:(1)单片清洗能够提供更好的工艺控制,提高产品良率;(2)在更大尺寸的晶圆和更先进的工艺对于杂质更敏感,槽式清洗出现交叉污染会危及整批晶圆的良率,会带来高成本的芯片返工支出;(3)单片槽式组合清洗技术的出现,可以在提高清洗能力及效率的同时,减少硫酸的使用量,帮助客户有效降低成本。第三章 背景、必要性分析一、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节,是芯片
22、良率重要保障清洗是半导体制程的重要环节,也是影响半导体器件良率的最重要的因素之一。清洗是晶圆加工制造过程中的重要一环,为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响,在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗,还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗,在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程工艺中均为必要环节。1)硅片制造过程中,经过抛光处理后的硅片,需要通过清洗过程来确保其表面的平整度和性能,进而提升在后续工艺中的良率。2)晶圆制造过程中,晶圆经过光刻、刻蚀、离子注入、去胶、成膜以及机械抛光等关键工序前后都需要进行清洗,以去除晶圆沾染的化学杂质,减少缺陷率,提高良率。3)芯片封装过程中,芯片需要根
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