南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案【范文参考】.docx
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1、泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案目录目录第一章第一章 市场分析市场分析.8一、国内产线建设持续加码,积极导入国产设备推动放量.8二、技术端:先进制程拉动刻蚀用量,复杂结构打开设备市场.10三、半导体设备投资占比巨大,刻蚀设备是其中重要一环.12第二章第二章 项目建设单位说明项目建设单位说明.20一、公司基本信息.20二、公司简介.20三、公司竞争优势.21四、公司主要财务数据.23公司合并资产负债表主要数据.23公司合并利润表主要数据.23五、核心人员介绍.24六、经营宗旨.25七、公司发展规划.26第三章第三章 项目建设背景及必要性分析项目建设背景及必要性分析.33一、海外龙头居
2、于垄断地位,研发并购筑起行业壁垒.33二、刻蚀设备国产化率低,国产替代空间广.33第四章第四章 项目总论项目总论.36一、项目名称及建设性质.36二、项目承办单位.36泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案三、项目定位及建设理由.38四、报告编制说明.39五、项目建设选址.41六、项目生产规模.41七、建筑物建设规模.41八、环境影响.41九、项目总投资及资金构成.41十、资金筹措方案.42十一、项目预期经济效益规划目标.42十二、项目建设进度规划.43主要经济指标一览表.43第五章第五章 项目选址分析项目选址分析.46一、项目选址原则.46二、建设区基本情况.46三、构建生态产业化产业
3、生态化经济新体系.48四、积极扩大有效投资.51五、项目选址综合评价.51第六章第六章 建设内容与产品方案建设内容与产品方案.52一、建设规模及主要建设内容.52二、产品规划方案及生产纲领.52产品规划方案一览表.52第七章第七章 建筑工程方案建筑工程方案.55泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案一、项目工程设计总体要求.55二、建设方案.56三、建筑工程建设指标.59建筑工程投资一览表.60第八章第八章 法人治理法人治理.62一、股东权利及义务.62二、董事.66三、高级管理人员.72四、监事.75第九章第九章 运营模式运营模式.78一、公司经营宗旨.78二、公司的目标、主要职责.7
4、8三、各部门职责及权限.79四、财务会计制度.82第十章第十章 发展规划发展规划.89一、公司发展规划.89二、保障措施.95第十一章第十一章 进度规划方案进度规划方案.97一、项目进度安排.97项目实施进度计划一览表.97二、项目实施保障措施.98泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案第十二章第十二章 项目环境影响分析项目环境影响分析.99一、编制依据.99二、环境影响合理性分析.100三、建设期大气环境影响分析.101四、建设期水环境影响分析.102五、建设期固体废弃物环境影响分析.103六、建设期声环境影响分析.103七、建设期生态环境影响分析.103八、清洁生产.104九、环境管
5、理分析.105十、环境影响结论.108十一、环境影响建议.108第十三章第十三章 劳动安全生产劳动安全生产.109一、编制依据.109二、防范措施.110三、预期效果评价.113第十四章第十四章 工艺技术分析工艺技术分析.115一、企业技术研发分析.115二、项目技术工艺分析.117三、质量管理.119四、设备选型方案.120主要设备购置一览表.121泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案第十五章第十五章 投资方案投资方案.122一、投资估算的依据和说明.122二、建设投资估算.123建设投资估算表.125三、建设期利息.125建设期利息估算表.125四、流动资金.127流动资金估算表.
6、127五、总投资.128总投资及构成一览表.128六、资金筹措与投资计划.129项目投资计划与资金筹措一览表.130第十六章第十六章 经济效益及财务分析经济效益及财务分析.131一、经济评价财务测算.131营业收入、税金及附加和增值税估算表.131综合总成本费用估算表.132固定资产折旧费估算表.133无形资产和其他资产摊销估算表.134利润及利润分配表.136二、项目盈利能力分析.136项目投资现金流量表.138三、偿债能力分析.139借款还本付息计划表.140泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案第十七章第十七章 招标、投标招标、投标.142一、项目招标依据.142二、项目招标范围.
7、142三、招标要求.143四、招标组织方式.143五、招标信息发布.145第十八章第十八章 项目风险分析项目风险分析.146一、项目风险分析.146二、项目风险对策.148第十九章第十九章 项目总结分析项目总结分析.150第二十章第二十章 附表附表.152主要经济指标一览表.152建设投资估算表.153建设期利息估算表.154固定资产投资估算表.155流动资金估算表.156总投资及构成一览表.157项目投资计划与资金筹措一览表.158营业收入、税金及附加和增值税估算表.159综合总成本费用估算表.159固定资产折旧费估算表.160无形资产和其他资产摊销估算表.161泓域咨询/南平半导体刻蚀设备
8、项目招商引资方案利润及利润分配表.162项目投资现金流量表.163借款还本付息计划表.164建筑工程投资一览表.165项目实施进度计划一览表.166主要设备购置一览表.167能耗分析一览表.167泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案第一章第一章 市场分析市场分析一、国内产线建设持续加码,积极导入国产设备推动放量国内产线建设持续加码,积极导入国产设备推动放量中国大陆成为全球最大半导体设备市场,承接半导体制造产能重心转移。根据 SEMI 统计数据,2020 年全球半导体设备市场规模达到712 亿美元,增速为 24%。在 2020 年,中国大陆半导体设备市场占全球市场的 26.3%,首次超越
9、中国台湾和韩国成为全球最大的半导体设备市场。作为半导体设备中的核心设备,国产刻蚀设备有望随着国内半导体设备市场规模的快速增长而迎来黄金发展期。中芯国际等国内晶圆厂积极扩产,拉动国产半导体设备需求。在半导体需求高涨以及芯片自制政策推动下,中芯国际、华虹集团等国内晶圆代工厂未来数年扩产计划仍相当积极。根据芯思想研究院统计,截至 2021 年 6 月我国晶圆制造扩产的 Fab 厂有 16 家,规划产能超过 90 万片,产能将在 2021-2023 年逐步释放。随着多家晶圆厂研发产线在中国大陆的投产,国内晶圆厂建设密集期到来,各个晶圆厂也会加速新一轮半导体设备的采购,将为半导体刻蚀设备的提供更加广阔的
10、舞台。新增产能建设积极导入国产设备,国产刻蚀设备中标量进一步提升。根据国内晶圆厂主要招投标数据显示,海外龙头供应厂商占据最泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案大份额,国内龙头公司北方华创、中微公司、屹唐股份处于加速导入过程。以长江存储设备招中标情况,截至 2020 年 12 月,长江存储共累计招标 348 台刻蚀设备,其中美国厂商 LamResearch 占据超过一半的采购量,达 187 台;而国内厂商中微公司、北方华创、屹唐股份分别中标 50 台、18 台、13 台,国产化率高达 23.85%。以华虹六厂设备招中标情况为例,截至 2020 年 12 月,华虹六厂共累计招标 81 台刻
11、蚀设备,其中 LamResearch 依旧占据超过一半的采购量,达 45 台;国内厂商中微半导体、北方华创分别中标 15 台、1 台,国产化率约为19.75%。根据亚化咨询研究数据显示,2018、2019 年长江存储采购的国产刻蚀机占比迅速提升,预计 2023 年将突破 40%,刻蚀设备国产替代未来可期。国家政策陆续出台,驱动国产刻蚀设备行业持续发力。近年来国家加大对于半导体产业政策的扶持力度,多项重磅文件相继出台,主要表现在对于整个 IC 产业链企业的政策优待以及对于半导体设备行业的相关规划与推动。其中国家集成电路产业发展推进纲要和科技部重点支持集成电路重点专项等一系列政策推动了一批国内半导
12、体设备公司进行了一系列重点工艺和技术的攻关,使得我国半导体设备行业涌现出了一批拥有国际竞争力的龙头企业,有效促进了我国半导体设备行业的发展。泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案二、技术端:先进制程拉动刻蚀用量,复杂结构打开设备市场技术端:先进制程拉动刻蚀用量,复杂结构打开设备市场逻辑芯片不断突破,先进工艺刻蚀次数也不断提升。晶圆代工行业呈现越来越高的资金和技术壁垒,如今晶圆厂一条 28nm 的 4 万/月的生产线需要 40-50 亿美元资本开支,研发新一代制程节点可能需要数十亿美元,如此庞大的投入构筑起了高资金和技术壁垒。而随着“摩尔定律”放缓,从 7 纳米到 5 纳米乃至 3 纳米,
13、每一个制程节点都举步维艰,拥有高端制程能力的公司屈指可数,而对于不同节点的产品研发也需要海量的资金投入。而随着先进制程工艺不断演进,所需要的刻蚀次数也逐渐增多,从 65nm 制程的 20 次增加至 5nm 制程的160 次,复杂度提升了 8 倍,显著提升了半导体刻蚀设备的数量和质量。逻辑电路制程不断微缩,FinFET 成为当前主流工艺。逻辑电路工艺不断的向着微型化发展,基于传统平面 MOSFET 结构的晶胞单元不断的缩小,漏、源的间距也不断的减小,栅极的控制力就不断的减弱,导致器件的性能恶化,同时增加了静态的功耗。当半导体工艺向更高技术节点挺进时,平面结构制程工艺逐渐达到极限难以突破,3D 结
14、构的 FinFET 工艺逐渐成为主流。与平面晶体管相比,FinFET 器件改进了对沟道的控制,从而减小了短沟道效应,同时能够更好地对沟道进行静电控制。然而,当工艺制程来到 3nm 之后,鳍片(Fin)宽度达到泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案5nm(等于 3nm 节点)时,FinFET 将接近实际极限,再向下就会遇到瓶颈。此时全环栅晶体管 GAA 有望延续半导体技术经典“摩尔定律”的新兴技术路线,进一步增强栅极控制能力,克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。先进工艺结构增加刻蚀难度与刻蚀步骤,对刻蚀设备提出了更高的要求。半导体逻辑电路的不断微缩,包括技术本身进化的需求,刻蚀工艺在不断
15、迭代,像 MultiplePatterning 技术、基于金属硬掩模的双大马士革工艺等等,都提高了刻蚀的难度,相应刻蚀机制造的难度也随之增加。同时先进制程增加了刻蚀的步骤,多次刻蚀要求每一个步骤的精确度足够高,才能保证整体生产的良率。存储工艺革新带动刻蚀需求提升。NANDFlash 技术不断成熟和进步,现已经迈入 3DNAND 时代,3DNAND 采用将存储单元立体堆叠的方式,使得储存能力提升明显,而其技术复杂程度较 2D 有显著提升。3DNAND 需要先经过干法和湿法刻蚀形成柱形通孔和 3DNAND 单元,由内层依次形成沉积氧化层-氮化层-氧化层结构后形成浮栅层,然后刻蚀多 余 的 FG 使
16、 之 能 够 实 现 完 全 隔 离,最 后 通 过 多 步 沉 积 形 成3DNANDFlash。3DNAND 形成过程中需要用到多步刻蚀,并且要保证刻蚀的各向异性和尽量小的偏差,对于刻蚀设备和相应技术都有着极高的要求。泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案高深宽比通道刻蚀与选择性刻蚀等步骤使 3DNAND 刻蚀难度全面升级。在 96 层 3DNAND 中纵横比高达 70:1,每块晶圆中有一万亿个微小孔通道,孔道随着叠加层数而增多,故保证孔道的均匀性和平整性才能保证器件的性能。其中,克服不完全刻蚀、弓形刻蚀、扭曲以及堆叠顶部和底部之间的 CD 差异成为刻蚀 3DNAND 工艺中面临的巨
17、大挑战。此外,选择性刻蚀是 3DNAND 刻蚀工艺中的关键步骤,刻蚀的均一性直接影响后续栅极电介质的沉积质量,但随着堆叠层数增加,畸形氧化沉积层变厚,严重时会直接导致氧化层塌陷,影响芯片性能。因此,3DNAND 更高堆叠层数的突破将带来刻蚀难度的极大提升,器件性能的突破也往往伴随着刻蚀工艺的长足进步。DRAM 微缩工艺拉动刻蚀设备需求。DRAM 制程工艺进入 20nm 以后,由于制造难度越来越高,内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了 1x、1y、1z,大体来讲,1x-nm 制程相当于 1619nm、1y-nm 相当于 1416nm,而 1z-nm 则相当于 1214nm。
18、如今传统的 DRAM 面临越来越严峻的微缩挑战,随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进,DRAM 电路图形密度增大,多重图案化重复次数增加,极大地增加了刻蚀工艺的设备需求。三、半导体设备投资占比巨大,刻蚀设备是其中重要一环半导体设备投资占比巨大,刻蚀设备是其中重要一环泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案半导体设备在硅片制造、前道及后道工艺中举足轻重。半导体设备即主要应用于半导体制造和封测流程的设备。半导体设备行业是半导体制造的基石,是半导体行业的基础和核心。从产业链来看,半导体设备的上游主要是单晶硅片制造以及 IC 设计,下游则主要为 IC 封测。根据半导体设备在 IC 制造中应用
19、的场景不同,一般可以分为氧化炉、涂胶显影设备、光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗设备、质量/电学检测设备、CMP 设备、CVD 设备和 PVD 设备等。先进制程驱动产线建设成本上行,半导体设备资本支出占比提升。通常,一条 90nm 制程芯片的晶圆生产线建设成本为 20 亿美元,当制程微缩至 20nm 时成本达到 67 亿美元,翻了三倍之多。而半导体设备作为半导体产线投资的主要投入项,不仅种类繁多,而且具有非常高的技术要求,也导致设备的价格非常昂贵,设备在生产线的资本支出占比也逐渐提高。根据高新智库研究表明,在 90nm 制程中设备支出占比为 70%,到了 20nm 制程占比达到 85%,从 14
20、 亿美元提高到 57亿美元,提高了约 4 倍。IC 制造设备占半导体设备比例达 80%,光刻、刻蚀和沉积设备为主要组成部分。从产品细分结构来看,目前供应的半导体设备主要为IC 制造设备,其占市面上半导体设备的比重约为 80%;在这些 IC 制造设备中,以光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备为主,根据 SEMI 测算数泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案据,当前这三类半导体设备分别约占市面上半导体设备的 24%、20%和20%。光刻:光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,其利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上,具有耗时长、成本高
21、的特点。光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备,技术含量、价值含量极高。刻蚀:刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤,对于器件的电学性能十分重要。其利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。薄膜沉积:薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节。薄膜沉积是指任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺,这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。薄膜沉积有化学和物理工艺之分,具体而言可分为化学气相沉积、物理气相沉积和其他沉积三大
22、类。中国大陆占据全球半导体设备市场约四分之一,技术仍处于追赶状态。中国大陆的半导体设备需求量大,2019 年中国的半导体设备市场规模占到了全球的一半,其中中国大陆的半导体设备市场规模占全球的 22.4%,略低于中国台湾。中国大陆在市场需求占据很大份额的同泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案时,半导体设备自给率很低,技术仍处于追赶状态,先进半导体设备技术仍由美欧日等国主导。其中美国的等离子刻蚀设备、离子注入机、薄膜沉积设备、检测设备、测试设备、表面处理设备等设备的制造技术位于世界前列;荷兰则是凭借 ASML 的高端光刻机在全球处于领先地位;在刻蚀设备、晶圆清洗设备、检测设备、测试设备、氧
23、化设备等方面,日本极具竞争优势。刻蚀设备有望率先完成国产替代。从国内市场来看,刻蚀机尤其是介质刻蚀机,是我国最具优势的半导体设备领域,也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。目前我国主流设备中,去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到 20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐股份。先进工艺不断演进,干法刻蚀大势所趋刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程,进而形成光刻定义的电路图形。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形,有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的
24、侵蚀,这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。在通常的 CMOS 工艺泓域咨询/南平半导体刻蚀设备项目招商引资方案流程中,刻蚀都是在光刻工艺之后进行的。从这一点来看,刻蚀可以看成在硅片上复制所想要图形的最后主要图形转移工艺步骤。按照刻蚀工艺划分,刻蚀主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀,利用等离子体与表面薄膜反应,形成挥发性物质,或者直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。干法刻蚀可以在某一特定方向上进行切割,使得实现理想中纳米(nm)级的超精细图案轮廓。湿法刻蚀工艺主要是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀,该刻蚀方法会导致
25、材料的横向纵向同时腐蚀,会导致一定的线宽损失。目前来看,干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位,市场占比约 90%。按照刻蚀材料划分,刻蚀工艺包括介质刻蚀和导体刻蚀,导体刻蚀又分为硅刻蚀和金属刻蚀。金属刻蚀主要是在金属层上去除铝、钨或铜层,以在逐级叠加的芯片结构中生成互联导线图形;硅刻蚀(包括多晶硅)应用于需要去除硅的场合,如刻蚀多晶硅晶体管栅、硅槽电容;介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀,如二氧化硅。对于 8 英寸晶圆,介质、多晶硅以及金属刻蚀是刻蚀设备的常用类别。进入 12 英寸世代以后,随着铜互连的发展,金属刻蚀逐渐萎缩,介质刻蚀份额逐渐加大。20 年介质刻蚀设备的份额已超过 40%,而且随着
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