第二章放大器的基本原理第一节晶体二极管..ppt
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1、第二章 放大器的基本原理第一节 晶体二极管一、半导体的导电特性:二、PN结及其单向导电性:1、PN结的形成:扩散复合空间电荷区 内电场Ei 漂移运动扩散=漂移(动态平衡)耗尽层 PN结。2、PN结的导电特性:(1)正向(偏置):外加正向电压(正向偏置)(P区接正,N区接负)削弱内电场空间电荷区变窄扩散大于漂移形成大的正向电流,电阻小称正向导通。(2)反向(偏置):外加反向电压(反向偏置)(P区接负,N区接正)加强内电场空间电荷区变宽漂移大于扩散反向电流很小,电阻大称反向截止。结论:PN结正向导通,反向截止,即为单向导电性。三、晶体二极管及其特性:1、结构与符号:2、伏安特性:3、参数:(1)最
2、大整流电流:(2)反向工作峰值电压:(3)反向峰值电流:(4)最高工作频率:四、特殊二极管:1、稳压二极管:(1)符号及性质:(2)参数:2、变容二极管:(1)符号及性质:(2)应用:3、光敏二极管:(1)符号及性质:(2)应用:4、发光二极管:(1)符号及性质:(2)应用:第二节第二节 晶体三极管晶体三极管一、晶体三极管(晶体管)的结构和晶体三极管(晶体管)的结构和符号:符号:NPN型型,PNP型型“三区三极两结三区三极两结”元件元件构造特点构造特点:()发射区面积小,掺:()发射区面积小,掺杂浓度高;()基区极薄,掺杂浓杂浓度高;()基区极薄,掺杂浓度低;度低;()集电区面积大,掺杂浓()
3、集电区面积大,掺杂浓度略高;度略高;1、三极管放大的偏置条件:发三极管放大的偏置条件:发射结正偏,集电结反偏。射结正偏,集电结反偏。二、晶体三极管的放大作用:晶体三极管的放大作用:2、三极管的放大作用三极管的放大作用(1)三种接法:(a)共发射极接法(发射极接法(b)共基极接法;基极接法;(c)共集电极接法集电极接法(a)发射区向基区发射电子:(b)电子在基区中扩散与复合:(c)集电区收集电子:3、说明两点:(1)放大输入信号;(2)能量来自电源。(2)电流放大的物理过程:一、晶体三极管的特性曲线:晶体三极管的特性曲线:(1)放大区:输出曲线的近于水平部)放大区:输出曲线的近于水平部分发射结正
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- 第二 放大器 基本原理 第一节 晶体二极管
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