玉林半导体清洗设备项目建议书_参考范文.docx
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1、泓域咨询/玉林半导体清洗设备项目建议书目录第一章 项目承办单位基本情况8一、 公司基本信息8二、 公司简介8三、 公司竞争优势9四、 公司主要财务数据10公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11五、 核心人员介绍11六、 经营宗旨13七、 公司发展规划13第二章 项目背景分析15一、 日系厂商领跑清洗设备,国内厂商替代进展顺利15二、 湿法清洗是主流清洗技术路线16三、 打造“两湾”产业融合发展先行试验区19第三章 市场分析20一、 单片清洗良率高,是目前主流清洗设备20二、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节,是芯片良率重要保障20第四章 项目总论23一、 项目名称及建设性质23二、
2、 项目承办单位23三、 项目定位及建设理由24四、 报告编制说明27五、 项目建设选址28六、 项目生产规模29七、 建筑物建设规模29八、 环境影响29九、 项目总投资及资金构成29十、 资金筹措方案30十一、 项目预期经济效益规划目标30十二、 项目建设进度规划31主要经济指标一览表31第五章 项目选址方案34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 提升产业链供应链现代化水平36四、 服务推动“两湾”协同联动发展36五、 项目选址综合评价37第六章 建筑物技术方案38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第七章 法人治理
3、41一、 股东权利及义务41二、 董事46三、 高级管理人员51四、 监事53第八章 运营模式分析56一、 公司经营宗旨56二、 公司的目标、主要职责56三、 各部门职责及权限57四、 财务会计制度60第九章 技术方案分析68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析71三、 质量管理72四、 设备选型方案73主要设备购置一览表74第十章 项目节能分析75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表77三、 项目节能措施77四、 节能综合评价79第十一章 原材料及成品管理80一、 项目建设期原辅材料供应情况80二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理80第十二章 建
4、设进度分析81一、 项目进度安排81项目实施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十三章 环境保护分析83一、 编制依据83二、 环境影响合理性分析83三、 建设期大气环境影响分析84四、 建设期水环境影响分析87五、 建设期固体废弃物环境影响分析87六、 建设期声环境影响分析87七、 建设期生态环境影响分析88八、 清洁生产89九、 环境管理分析90十、 环境影响结论92十一、 环境影响建议92第十四章 组织机构、人力资源分析94一、 人力资源配置94劳动定员一览表94二、 员工技能培训94第十五章 项目投资计划97一、 投资估算的依据和说明97二、 建设投资估算98建设投资估算表1
5、00三、 建设期利息100建设期利息估算表100四、 流动资金102流动资金估算表102五、 总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十六章 经济效益及财务分析106一、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113三、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115第十七章 招标方案117一、 项目招标依据117二、 项目招标范围117三、 招标要求117四、
6、 招标组织方式120五、 招标信息发布120第十八章 项目总结分析121第十九章 附表123营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建设投资估算表129建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134第一章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xx(集团)有限公司2、法定代表人:毛xx3、注册资本:850万元4、统一社会信用代码:
7、xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2012-9-267、营业期限:2012-9-26至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事半导体清洗设备相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想
8、政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。三、 公司竞争优势(一)公司具有技术研发优势,创新能力突出公司在研发方面投入较高,持续进行研究开发与技术成果转化,形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外,公司目
9、前主要生产线为使用自有技术开发而成。(二)公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成,与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍,为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。(三)公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务,树立了良好的品牌形象,获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系,对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻,有利于研发生产更符合市场需求产品,提高公司的核心竞争力。(
10、四)公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕,已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势;同时随着行业的深度整合,行业集中度提升,下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定,在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4019.613215.693014.71负债总额1349.301079.441011.97股东权益合计2670.312136.252002.73公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营
11、业收入9094.437275.546820.82营业利润2036.321629.061527.24利润总额1814.921451.941361.19净利润1361.191061.73980.06归属于母公司所有者的净利润1361.191061.73980.06五、 核心人员介绍1、毛xx,1974年出生,研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司;2006年8月至2011年3月,任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长;2019年8月至今任公司监事会主席。2、陈xx,中国国籍,1977年出生,本科学历。2018年9月至今历任公
12、司办公室主任,2017年8月至今任公司监事。3、黄xx,中国国籍,1976年出生,本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理;2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理;2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。4、余xx,中国国籍,无永久境外居留权,1961年出生,本科学历,高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。5、江xx,1957年出生,大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司;2002年6月至201
13、1年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。6、范xx,中国国籍,无永久境外居留权,1970年出生,硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、武xx,中国国籍,无永久境外居留权,1959年出生,大专学历,高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问;2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8、冯xx,中国国籍,无永久境外居留权,1958年出生,本科学历,高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长
14、;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长;2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理;2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨以市场需求为导向;以科研创新求发展;以质量服务树品牌;致力于产业技术进步和行业发展,创建国际知名企业。七、 公司发展规划根据公司的发展规划,未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展,公司的管理水平将面临较大的考验,尤其在公司迅速扩大经营规模后,公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化,在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外,公司未来
15、的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求,公司需进一步提高管理应对能力,才能保持持续发展,实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式,来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面,公司将根据资金、市场的具体情况,择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案,进一步优化资本结构,筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养,同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制,确保公司发展规划和目标的实现。一方面,公司将继续加强员工培训,加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才;对营销人员进行沟通与营销技巧方面
16、的培训,对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面,不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才,要加大引进力度,保持核心人才的竞争力。其三,逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制,充分调动员工的积极性、创造性,提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作,持续完善公司的法人治理结构,建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制,充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度,强化各项决策的科学性和透明度,保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化,及时
17、调整组织结构和促进公司的机制创新。第二章 项目背景分析一、 日系厂商领跑清洗设备,国内厂商替代进展顺利全球半导体清洗设备高度集中于日本企业。根据Gartner数据,全球半导体清洗设备行业的龙头企业主要是迪恩士(DainipponScreen)、东京电子(TEL)、韩国SEMES、拉姆研究(LamResearch)等等。其中,迪恩士处于绝对领先地位,2020年占据了全球半导体清洗设备45.1%的市场份额,东京电子、SEMES和拉姆研究分别占据约25.3%、14.8%和12.5%。a)迪恩士(DainipponScreen):成立于1943年,总部位于日本东京,是日本半导体专用设备和LED生产设备
18、公司,客户遍及日本、韩国和中国台湾地区。公司产品主要包括半导体设备、显示设备、PCB设备等。半导体设备产品主要有清洗机、蚀刻、显影/涂布等,其中清洗设备在半导体业界具有极高的市占率,2020年全球市占率超过45%,全球第一。b)东京电子(TokyoElectron):成立于1963年,总部位于日本东京,是日本最大的半导体制造设备提供商,主要从事半导体设备的研发、生产和销售,TokyoElectron的产品几乎覆盖了半导体制造流程中的所有工序。其主要产品包括涂布/显像设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、CVD、湿法清洗设备及测试设备,其清洗设备2020年全球份额达到25.3%。c)拉姆研究(La
19、mResearch):成立于1980年,总部位于美国加尼福尼亚州弗里蒙特,是向全球半导体提供晶圆制造设备和服务的主要供应商之一。该公司的主要产品包括用于制造集成电路的刻蚀设备、气相沉积设备、电镀设备、清洗设备等半导体加工设备。其清洗设备2020年全球份额达12.5%。二、 湿法清洗是主流清洗技术路线根据清洗的介质不同,清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种。湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物,通过腐蚀、溶解、化学反应等方法,使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落,以获得满足洁净度要求的硅片。干法清洗是指不依赖化学试剂的清洗技术,包括等离子体清洗、气象
20、清洗等。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主,是目前市场上的主流清洗方法。湿法清洗采用液体化学试剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法和单晶片清洗等。1)RCA通用清洗法:RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水(UPW)中彻底清洗。2)化学稀释法:在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀
21、释APMSC2混合物(1:1:50)可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物(1:1:60)和稀释HCI(1:100)在清除金属时可以像标准SC2液体一样有效。采用稀释HCI溶液的另外一个优点是,在低HCI浓度下颗粒不会沉淀。采用稀释RCA清洗法可以使全部化学品消耗减少86%。稀释SC1,SC2溶液及HF补充兆声搅动后,可以降低槽中溶液使用温度,并优化了各种清洗步骤的时间,因此导致槽中溶液寿命加长,使化学品消耗量减少80-90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可以使UPW消耗量减少75-80%。此外,多种稀释化学液体由于低流速或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。3)
22、IMEC清洗法:第一步,去除有机污染物,生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物。第二步,去除氧化层,同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程,在光照条件下,铜的表面沉积速度加快。第三步,在硅表面产生亲水性,以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用稀释HCL/O3混合物,在低pH值下使硅表面产生亲水性,同时避免再发生金属污染,并且在最后冲洗过程中增加HNO3的浓度以减少Ca表面污染。4)单晶片清洗:大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法。其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3
23、/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3)产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化的DI水。为了避免水渍,采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗过程中采用DI水及HF的再循环利用,降低化学品的消耗量,提高晶片成本效益。干法清洗采用气相学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法,清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室,反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性
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